IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, canale Tipo N, TO-247, 4 Pin Foro passante

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Codice RS:
206-6063
Codice costruttore:
STGW75H65DFB2-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

115A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

357W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

4

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STG

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.9mm

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.

Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 75 A.

Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin aggiuntivo di azionamento

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