IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 1350 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6635
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
51,48 €
(IVA esclusa)
62,82 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 210 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,716 € | 51,48 € |
| 60 - 120 | 1,63 € | 48,90 € |
| 150 - 270 | 1,562 € | 46,86 € |
| 300 - 570 | 1,493 € | 44,79 € |
| 600 + | 1,39 € | 41,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6635
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1350V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±25 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1350V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±25 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Link consigliati
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N135R5XKSA1 IC 40 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 30 A TO-247
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 75 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IC 75 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N120R5XKSA1 IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 80 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A 3 Pin Foro passante
