IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 1350 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6635
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,04 € | 61,20 € |
| 60 - 120 | 1,938 € | 58,14 € |
| 150 - 270 | 1,856 € | 55,68 € |
| 300 - 570 | 1,775 € | 53,25 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6635
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1350V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±25 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1350V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±25 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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