IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N135R5XKSA1, VCE 1.35 kV, IC 40 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6636
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
19,16 €
(IVA esclusa)
23,38 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 50 unità in spedizione dal 26 ottobre 2026
- Più 140 unità in spedizione dal 30 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,832 € | 19,16 € |
| 25 - 45 | 3,448 € | 17,24 € |
| 50 - 120 | 3,218 € | 16,09 € |
| 125 - 245 | 3,026 € | 15,13 € |
| 250 + | 2,798 € | 13,99 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6636
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.35kV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±25 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.35kV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±25 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
IC a transistor singolo IGBT con commutazione risonante Infineon, tensione massima del collettore-emettitore di 1350 V, corrente massima continua del collettore di 40 A - IHW20N135R5XKSA1
Questo IC a transistor singolo IGBT è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di conversione di potenza in cui sono richieste prestazioni collettore-emettitore robuste. Funziona su un intervallo di temperatura esteso, adatto a condizioni termiche difficili, ed è fornito in un contenitore TO-247 a foro passante per il montaggio su scheda convenzionale. Il dispositivo si rivolge alle applicazioni di commutazione risonante che richiedono una gestione della corrente continua sostanziale e una bassa saturazione durante la conduzione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale collettore-emettitore di 1350 V consente il funzionamento ad alta tensione
• La corrente di collettore continua di 40 A supporta correnti di carico pesanti
• Il VCE(sat) di 1,85 V riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La tolleranza gate-emitter di ±25 V consente ampie tensioni di azionamento
• La dissipazione di potenza di 310 W consente una commutazione ad alta potenza
• L'intervallo operativo da -40 a 175 °C resiste a temperature estreme
• La corrente di collettore continua di 40 A supporta correnti di carico pesanti
• Il VCE(sat) di 1,85 V riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La tolleranza gate-emitter di ±25 V consente ampie tensioni di azionamento
• La dissipazione di potenza di 310 W consente una commutazione ad alta potenza
• L'intervallo operativo da -40 a 175 °C resiste a temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per convertitori risonanti negli alimentatori
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato con alimentatori switching ad alta tensione
• Può essere utilizzato per moduli di conversione di potenza di livello utilitario
• Adatto per topologie di convertitori CC-CC ad alta potenza
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato con alimentatori switching ad alta tensione
• Può essere utilizzato per moduli di conversione di potenza di livello utilitario
• Adatto per topologie di convertitori CC-CC ad alta potenza
Quale approccio di montaggio richiede questo dispositivo?
È fornito in un contenitore a foro passante TO-247 progettato per il montaggio su scheda saldata e dissipazione di calore attraverso la linguetta del contenitore.
In che modo il transistor gestisce il calore in caso di funzionamento continuo?
La dissipazione di potenza nominale massima di 310 W definisce il carico termico che può gestire quando è montato su un percorso termico appropriato come un dissipatore di calore e un flusso d'aria corretto.
Quali sono i vincoli del gate-drive che devono essere osservati?
La tensione dell'emettitore-gate deve essere mantenuta entro ±25 V per evitare la tensione di isolamento del gate e garantire una commutazione affidabile.
Esistono restrizioni materiali o normative rilevanti per la progettazione?
Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è realizzato utilizzando materiali conformi alle norme IEC 61249-2-21 per determinate composizioni di substrati.
Link consigliati
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 40 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT Infineon IC 30 A TO-247
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 75 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N120R5XKSA1 IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IC 75 A 3 Pin
- IGBT Infineon IC 30 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A 3 Pin Foro passante