IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N135R5XKSA1, VCE 1350 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

15,90 €

(IVA esclusa)

19,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 20 unità in spedizione dal 25 maggio 2026
  • Più 215 unità in spedizione dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 203,18 €15,90 €
25 - 452,864 €14,32 €
50 - 1202,672 €13,36 €
125 - 2452,512 €12,56 €
250 +2,32 €11,60 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6636
Codice costruttore:
IHW20N135R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1350V

Dissipazione di potenza massima Pd

310W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±25 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.85V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

42mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS

Serie

Resonant Switching

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

Link consigliati