IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 40 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 215-6636
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,53 € | 17,65 € |
| 25 - 45 | 3,178 € | 15,89 € |
| 50 - 120 | 2,966 € | 14,83 € |
| 125 - 245 | 2,788 € | 13,94 € |
| 250 + | 2,576 € | 12,88 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6636
- Codice costruttore:
- IHW20N135R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 40 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1350 V. | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±25 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 310 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 40 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1350 V. | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±25 V | ||
Dissipazione di potenza massima 310 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica