IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N135R5XKSA1, VCE 1350 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6636
Codice costruttore:
IHW20N135R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1350V

Dissipazione di potenza massima Pd

310W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.85V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±25 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

Resonant Switching

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS

Lunghezza

42mm

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre un'elevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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