Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, 70 A

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Prezzo per 1 vassoio da 15 unità*

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*prezzo indicativo

Codice RS:
248-1195
Codice costruttore:
DF200R07W2H3B77BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

40 A, 70 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

4

Dissipazione di potenza massima

20 mW

Infineon produce questo modulo IGBT EasyPACK 2B 650 V, 100 A a 3 livelli con Trench/Fieldstop IGBT H3 e diodo rapido e PressFIT/NTC. Questo dispositivo offre un design compatto facile da usare e prestazioni ottimizzate. Il dispositivo offre vantaggi aggiuntivi come una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V, un design a bassa induttività, basse perdite di commutazione e bassa VCE, saturazione. Utilizza un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica e tecnologia dei contatti PressFIT. Questo dispositivo offre un montaggio robusto grazie al morsetto di montaggio integrato. Questo dispositivo ha una configurazione Booster e utilizza la tecnologia IGBT HighSpeed 3.

Migliore rapporto costi/prestazioni con costi di sistema ridotti
Elevato grado di libertà nella progettazione
Massima efficienza e densità di potenza

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