- Codice RS:
- 248-1199
- Codice costruttore:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità
62,292 €
(IVA esclusa)
75,996 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Vassoio* |
---|---|---|
15 - 15 | 62,292 € | 934,38 € |
30 + | 59,178 € | 887,67 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 248-1199
- Codice costruttore:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Infineon produce questo modulo IGBT EasyPACK 2B 650 V, 100 A a 3 livelli con Trench/Fieldstop IGBT H3 e diodo rapido e PressFIT/NTC. Questo dispositivo offre un design compatto facile da usare e prestazioni ottimizzate. Il dispositivo offre vantaggi aggiuntivi come una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V, un design a bassa induttività, basse perdite di commutazione e bassa VCE, saturazione. Utilizza un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica e tecnologia dei contatti PressFIT. Questo dispositivo offre un montaggio robusto grazie al morsetto di montaggio integrato.
Migliore rapporto costi/prestazioni con costi di sistema ridotti
Elevato grado di libertà nella progettazione, utilizza la tecnologia IGBT HighSpeed 3
Massima efficienza e densità di potenza
Elevato grado di libertà nella progettazione, utilizza la tecnologia IGBT HighSpeed 3
Massima efficienza e densità di potenza
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 70 A |
Tensione massima collettore emitter | 650 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Numero di transistor | 4 |
Dissipazione di potenza massima | 20 mW |
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