Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, 90 A

Infineon produce questo modulo IGBT EasyPACK 2B 650 V, 100 A a 3 livelli con Trench/Fieldstop IGBT H3 e diodo rapido e PressFIT/NTC. Questo dispositivo offre un design compatto facile da usare e prestazioni ottimizzate. Il dispositivo offre vantaggi aggiuntivi come una maggiore capacità di tensione di blocco fino a 650 V, un design a bassa induttività, basse perdite di commutazione e bassa VCE, saturazione. Utilizza un substrato Al2O3 con bassa resistenza termica e tecnologia dei contatti PressFIT. Questo dispositivo offre un montaggio robusto grazie al morsetto di montaggio integrato. Questo dispositivo ha una configurazione Booster e utilizza la tecnologia IGBT HighSpeed 3.

Migliore rapporto costi/prestazioni con costi di sistema ridotti
Elevato grado di libertà nella progettazione
Massima efficienza e densità di potenza