IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 5 A, TO-252

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1425,00 €

(IVA esclusa)

1750,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,57 €1.425,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
253-3499
Codice costruttore:
BIDD05N60T
Costruttore:
Bourns
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Bourns

Corrente massima continuativa collettore

5 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

82 W

Tipo di package

TO-252

Configurazione

Diodo singolo

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura migliora la robustezza del dispositivo.

600 V, 5 A, basso VCE(sat)
Tecnologia Field-Stop Trench-Gate
Ottimizzato per la conduzione
Robusto
Conforme a RoHS

Link consigliati