IGBT Bourns, VCE 600 V, TO-252

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Codice RS:
253-3499
Codice costruttore:
BIDD05N60T
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

82W

Tipo di package

TO-252

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

BIDD05N60T

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura migliora la robustezza del dispositivo.

600 V, 5 A, basso VCE(sat)

Tecnologia Field-Stop Trench-Gate

Ottimizzato per la conduzione

Robusto

Conforme a RoHS

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