IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 1899-12-31 06:00:00, canale N, TO-263

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

544,00 €

(IVA esclusa)

664,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +0,544 €544,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2966
Codice costruttore:
IKB06N60TATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

1899-12-31 06:00:00

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

88 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-263

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT3 di Infineon compatto con diodo a rotazione libera a pieno titolo in un contenitore TO263 D2Pak, porta a un significativo miglioramento delle prestazioni statiche e dinamiche del dispositivo, grazie alla combinazione di concetto trench-cell e fieldtop. La combinazione di

Elevata robustezza e comportamento stabile in termini di temperatura
Distribuzione dei parametri molto stretta
Elevata affidabilità del dispositivo

Link consigliati