IGBT Infineon IKY40N120CH3XKSA1, VCE 1200 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 4 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 273-2985
- Codice costruttore:
- IKY40N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2985
- Codice costruttore:
- IKY40N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 4 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Lunghezza | 21.1mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 4 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Lunghezza 21.1mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
L'Infineon IGBT3 nel pacchetto TO-247PLUS 4pin. La configurazione del contenitore a 4 pin fornisce un'induttanza estremamente bassa all'anello di controllo dell'emettitore di gate con il contenitore a 4 pin direttamente al driver di gate e consente la riduzione delle perdite E on e E off amo
Massima efficienza con perdite di commutazione più basse
IGBT discreto ad alta densità di potenza da 1200 V
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