IGBT, canale N, PG-TDSON-8

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Codice RS:
273-5239
Codice costruttore:
BSC16DN25NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

62,5 W

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

8

Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale N con una temperatura d'esercizio di 150 gradi Celsius. Si tratta di una conversione cc-ccc ottimizzata. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target. Questo MOSFET è privo di alogeni in conformità allo standard IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS
Placcatura senza piombo
Bassa resistenza all'accensione
Eccellente carica del gate

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