MOSFET Infineon, canale N, 275 A, PG-TDSON-8 FL, Montaggio superficiale

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Codice RS:
348-845
Codice costruttore:
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

275 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

OptiMOSTM5

Tipo di package

PG-TDSON-8 FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
CN
Il FET lineare Infineon OptiMOS 5 da 60 V in un package PQFN 5x6 mm (SuperSO8), che offre la più bassa resistenza di stato di accensione del settore, RDS(on), e un'ampia area operativa sicura (SOA) a 25˚C e 125˚C. Il FET lineare OptiMOS è un approccio rivoluzionario che risolve il compromesso tra resistenza di stato e capacità di modalità lineare.

Corrente di spunto elevata abilitato
Avvio rapido e tempi di inattività ridotti
Ingombro standard del settore

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