Codice costruttore

IGBT, canale N, PG-TDSON-8

Codice RS:: 273-5240
Codice costruttore:: BSC16DN25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

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Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 45	1,13 €	5,65 €
50 - 495	0,944 €	4,72 €
500 - 995	0,808 €	4,04 €
1000 - 2495	0,794 €	3,97 €
2500 +	0,774 €	3,87 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 273-5240
Codice costruttore:: BSC16DN25NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tensione massima gate emitter	±20V
	Dissipazione di potenza massima	62,5 W
	Tipo di package	PG-TDSON-8
	Tipo di montaggio	Su foro
	Tipo di canale	N
	Numero pin	8

Datasheet - BSC16DN25NS3GATMA1

Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale N con una temperatura d'esercizio di 150 gradi Celsius. Si tratta di una conversione cc-ccc ottimizzata. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target. Questo MOSFET è privo di alogeni in conformità allo standard IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS
Placcatura senza piombo
Bassa resistenza all'accensione
Eccellente carica del gate

IGBT, canale N, PG-TDSON-8

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