Modulo IGBT Semikron Danfoss SKM200GB12E4, VCE 1200 V, IC 313 A, canale Tipo N, SEMITRANS, 7 Pin Pannello

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Codice RS:
687-4973
Codice costruttore:
SKM200GB12E4
Costruttore:
Semikron Danfoss
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Marchio

Semikron Danfoss

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

313A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Numero transistor

2

Tipo di package

SEMITRANS

Tipo montaggio

Pannello

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

7

Velocità di commutazione

12kHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Temperatura massima di funzionamento

-40°C

Altezza

30mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

SKM200GB12E4

Lunghezza

106.4mm

Standard automobilistico

No

Moduli IGBT doppi


Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui.

Contenitore compatto SEMITOP®

Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz

Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper

Moduli IGBT, Semikron


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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