IGBT onsemi FGH40N60SMDF, VCE 600 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247AB, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
739-4942
Codice costruttore:
FGH40N60SMDF
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

349W

Tipo di package

TO-247AB

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

12ns

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

Field Stop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati