IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 100 A, canale N, TO-247

Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
796-1378P
Codice costruttore:
NGTB50N60FWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

223 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.


IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati