Transistor bipolare a porta isolata Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-3P, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 796-5058P
- Codice costruttore:
- GT30J121
- Costruttore:
- Toshiba
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 25 unità (fornito in sacchetto)*
106,75 €
(IVA esclusa)
130,25 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 81 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 49 | 4,27 € |
| 50 - 199 | 4,03 € |
| 200 - 399 | 3,60 € |
| 400 + | 3,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 796-5058P
- Codice costruttore:
- GT30J121
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 30A | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare a porta isolata | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tipo di package | TO-3P | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.45V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Corrente massima continua collettore Ic 30A | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare a porta isolata | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tipo di package TO-3P | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.45V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT Discreti, Toshiba
IGBT discreti e moduli, Toshiba
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.