Transistor bipolare a porta isolata Toshiba, VCE 600 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-3P, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
796-5058P
Codice costruttore:
GT30J121
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

Transistor bipolare a porta isolata

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tipo di package

TO-3P

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.45V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT Discreti, Toshiba


IGBT discreti e moduli, Toshiba


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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