Memoria FRAM Infineon, SPI, 4Mbit, SOIC, 512K x 8 bit
- Codice RS:
- 124-2933P
- Codice costruttore:
- CY15B104Q-SXI
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 18,78 € |
| 10 - 49 | 18,28 € |
| 50 - 187 | 17,81 € |
| 188 + | 17,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 124-2933P
- Codice costruttore:
- CY15B104Q-SXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 4Mbit | |
| Organizzazione | 512K x 8 bit | |
| Interfacce | SPI | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 16ns | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 5.33 x 5.33 x 1.78mm | |
| Lunghezza | 5.33mm | |
| Larghezza | 5.33mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Altezza | 1.78mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Numero di parole | 512K | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2 V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 4Mbit | ||
Organizzazione 512K x 8 bit | ||
Interfacce SPI | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 16ns | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 5.33 x 5.33 x 1.78mm | ||
Lunghezza 5.33mm | ||
Larghezza 5.33mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Altezza 1.78mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Numero di parole 512K | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2 V | ||
- Paese di origine:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 512 K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 300 μA a 1 MHz
Corrente di standby 100 μA (tip.)
Corrente della modalità di attesa 3 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin senza cavi piatti doppi (TDFN)
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 40 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 300 μA a 1 MHz
Corrente di standby 100 μA (tip.)
Corrente della modalità di attesa 3 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Involucri
Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin
Contenitore sottile a 8 pin senza cavi piatti doppi (TDFN)
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.