FRAM Infineon, Parallelo, 256 kB, SOIC, 28 Pin, 32K x 8 bit FM18W08-SG, AEC-Q100
- Codice RS:
- 125-4205
- Codice costruttore:
- FM18W08-SG
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 125-4205
- Codice costruttore:
- FM18W08-SG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 256kB | |
| Organizzazione | 32K x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Parallelo | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 70ns | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 28 | |
| Lunghezza | 18.11mm | |
| Larghezza | 7.62mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.37mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero parole | 32k | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 256kB | ||
Organizzazione 32K x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Parallelo | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 70ns | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 28 | ||
Lunghezza 18.11mm | ||
Larghezza 7.62mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.37mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero parole 32k | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.
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