FRAM Infineon, Parallelo, 256 kB, SOIC, 28 Pin, 32K x 8 Bit FM18W08-SG, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
125-4205
Codice costruttore:
FM18W08-SG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

256kB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

Parallelo

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

70ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

1MHz

Tipo di package

SOIC

Numero pin

28

Altezza

2.37mm

Lunghezza

18.11mm

Standard/Approvazioni

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Minima temperatura operativa

-40°C

Numero bit per parola

8

Tensione massima di alimentazione

5.5V

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Standard automobilistico

AEC-Q100

Numero parole

32k

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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