Memoria FRAM Infineon, Parallelo, 256kbit, SOIC, 32K x 8 bit, AEC-Q100

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
125-4229
Codice costruttore:
FM28V020-SG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

256kbit

Organizzazione

32K x 8 bit

Interfacce

Parallelo

Larghezza del bus dati

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

70ns

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

28

Dimensioni

18.11 x 7.62 x 2.37mm

Lunghezza

18.11mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Larghezza

7.62mm

Altezza

2.37mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Minima temperatura operativa

-40 °C

Numero di bit per parola

8bit

Numero di parole

32K

Tensione di alimentazione operativa minima

2 V

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 256 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 32K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Funzionamento in modalità pagina
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Compatibile con SRAM
Pinout SRAM 32K x 8 standard industriale
Tempo di accesso di 70-ns, tempo di ciclo di 140-ns
Superiore ai moduli SRAM con batteria tampone
Nessun problema relativo alla batteria
Affidabilità monolitica
Vera soluzione per montaggio superficiale, nessuna fase di rettifica
Superiore per umidità, urti e vibrazioni
Resistente ai sottosquadri di tensione negativi
Basso consumo energetico
Corrente attiva 5 mA (tip.)
Corrente di standby 90 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Contenitori:
Package SOIC (Small outline integrated circuit) a 28 pin
Contenitore sottile a 28 pin con profilo piccolo (TSOP) Tipo I
Contenitore sottile a 32 pin con profilo piccolo (TSOP) Tipo I


FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

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