FRAM Infineon, 256 kB, SOIC-28, 28 Pin, 32k x 8 bit
- Codice RS:
- 273-5305
- Codice costruttore:
- FM18W08-SGTR
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-5305
- Codice costruttore:
- FM18W08-SGTR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 256kB | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 70ns | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOIC-28 | |
| Numero pin | 28 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Numero parole | 32k | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 256kB | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 70ns | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOIC-28 | ||
Numero pin 28 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Standard automobilistico No | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Numero parole 32k | ||
La memoria FRAM Infineon è una memoria non volatile da 32 K x 8 che legge e scrive in modo simile a una SRAM standard. Una memoria a accesso casuale ferroelettrica o FRAM è non volatile, il che significa che i dettagli vengono conservati dopo la rimozione dell'alimentazione. Fornisce la conservazione dei dati per oltre 151 anni eliminando al contempo i problemi di affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione del sistema della SRAM a batteria. I tempi di scrittura rapidi e l'elevata resistenza alla scrittura rendono la FRAM superiore agli altri tipi di memoria.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Compatibile con SRAM e EEPROM
Superiori ai moduli SRAM a batteria
Resistente alle sovratensioni di tensione negativa
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