FRAM Infineon, Parallelo, 64 kB, SOIC-28, 28 Pin, 8k x 8 bit FM16W08-SG
- Codice RS:
- 273-7374
- Codice costruttore:
- FM16W08-SG
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 27 unità*
129,60 €
(IVA esclusa)
158,22 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 27 - 81 | 4,80 € | 129,60 € |
| 108 + | 4,33 € | 116,91 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7374
- Codice costruttore:
- FM16W08-SG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 64kB | |
| Organizzazione | 8k x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Parallelo | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 70ns | |
| Tipo di package | SOIC-28 | |
| Numero pin | 28 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero parole | 8K | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 64kB | ||
Organizzazione 8k x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Parallelo | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 70ns | ||
Tipo di package SOIC-28 | ||
Numero pin 28 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero parole 8K | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 8 K x 8 che legge e scrive in modo simile a una SRAM standard. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile, il che significa che i dati vengono conservati anche dopo l'interruzione dell'alimentazione. Garantisce la conservazione dei dati per oltre 151 anni, eliminando al contempo i problemi di affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione del sistema tipiche delle SRAM a batteria. I tempi di scrittura rapidi e l'elevata resistenza alla scrittura rendono la FRAM superiore rispetto agli altri tipi di memoria. Il suo funzionamento è simile a quello di altri dispositivi RAM e quindi può essere utilizzata per sostituire una SRAM standard in un sistema. I tempi minimi dei cicli di lettura e scrittura sono equivalenti. La memoria FRAM non è volatile grazie all'esclusivo processo di memoria ferroelettrica.
Basso consumo energetico
Compatibile con SRAM ed EEPROM
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
Resistenza superiore all'umidità e agli urti con vibrazioni
