Memoria FRAM Infineon, Parallelo, 64kbit, SOIC, 8K x 8

La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 8 K x 8 che legge e scrive in modo simile a una SRAM standard. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile, il che significa che i dati vengono conservati anche dopo l'interruzione dell'alimentazione. Garantisce la conservazione dei dati per oltre 151 anni, eliminando al contempo i problemi di affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione del sistema tipiche delle SRAM a batteria. I tempi di scrittura rapidi e l'elevata resistenza alla scrittura rendono la FRAM superiore rispetto agli altri tipi di memoria. Il suo funzionamento è simile a quello di altri dispositivi RAM e quindi può essere utilizzata per sostituire una SRAM standard in un sistema. I tempi minimi dei cicli di lettura e scrittura sono equivalenti. La memoria FRAM non è volatile grazie all'esclusivo processo di memoria ferroelettrica.

Basso consumo energetico
Compatibile con SRAM ed EEPROM
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
Resistenza superiore all'umidità e agli urti con vibrazioni