FRAM Infineon, Parallelo, 64 kB, SOIC-28, 28 Pin, 8k x 8 bit

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Codice RS:
273-7375
Codice costruttore:
FM16W08-SG
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

64kB

Tipo prodotto

FRAM

Organizzazione

8k x 8 bit

Tipo di interfaccia

Parallelo

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

70ns

Tipo di package

SOIC-28

Numero pin

28

Standard/Approvazioni

RoHS

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Tensione massima di alimentazione

5.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Standard automobilistico

No

Numero parole

8K

Tensione minima di alimentazione

2.7V

La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 8 K x 8 che legge e scrive in modo simile a una SRAM standard. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile, il che significa che i dati vengono conservati anche dopo l'interruzione dell'alimentazione. Garantisce la conservazione dei dati per oltre 151 anni, eliminando al contempo i problemi di affidabilità, gli svantaggi funzionali e le complessità di progettazione del sistema tipiche delle SRAM a batteria. I tempi di scrittura rapidi e l'elevata resistenza alla scrittura rendono la FRAM superiore rispetto agli altri tipi di memoria. Il suo funzionamento è simile a quello di altri dispositivi RAM e quindi può essere utilizzata per sostituire una SRAM standard in un sistema. I tempi minimi dei cicli di lettura e scrittura sono equivalenti. La memoria FRAM non è volatile grazie all'esclusivo processo di memoria ferroelettrica.

Basso consumo energetico

Compatibile con SRAM ed EEPROM

Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture

Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità

Resistenza superiore all'umidità e agli urti con vibrazioni

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