MOSFET STMicroelectronics, canale N 1 kV, 8.5 Ω Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale STD2NK100Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-902
Codice costruttore:
STD2NK100Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

TO-252

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Temperatura massima di funzionamento

159°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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