MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1000 V, 8.5 Ω Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-252 STD2NK100Z
- Codice RS:
- 151-902
- Codice costruttore:
- STD2NK100Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-902
- Codice costruttore:
- STD2NK100Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 85A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1000V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 70W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 159°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 85A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1000V | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 70W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 159°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.
Carica gate ridotta al minimo
Capacità intrinseca molto bassa
Protezione Zener
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