MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 240 mΩ Miglioramento, 36 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN36N100

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Codice RS:
193-795
Codice costruttore:
IXFN36N100
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Serie

HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

240mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

700W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

380nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

38.23mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

25.42 mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ IXYS


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