MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 390 mΩ Miglioramento, 24 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN24N100

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

50,82 €

(IVA esclusa)

62,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 88 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 450,82 €
5 - 1944,68 €
20 - 4941,72 €
50 - 9940,66 €
100 +39,64 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
194-091
Codice costruttore:
IXFN24N100
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

390mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

568W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

267nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

25.42 mm

Lunghezza

38.23mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati