MOSFET IXYS, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro

Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

800 V

Tipo di package

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,1 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5.5V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

40 nC a 10 V

Larghezza

4.83mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.66mm

Altezza

9.15mm

Minima temperatura operativa

-55 °C