MOSFET IXYS, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 1,1 Ω, 10 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 194-057
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.66mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	40 nC a 10 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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