MOSFET IXYS, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 540 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 802-4420
Price: 3.54 EUR
Availability: OutOfStock

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	327 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	327 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C