MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 125 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL125N10F8AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-996
Codice costruttore:
STL125N10F8AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL125N10F8AG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics da 100 V in modalità enhancement è progettato in tecnologia STripFET F8 con una struttura di gate a trincea migliorata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza on-state molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica di gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Bassa carica di gate Qg

Pacchetto laterale bagnabile

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