MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 125 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL120N10F8

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
261-5532
Codice costruttore:
STL120N10F8
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

125A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Modalità di potenziamento canale N livello standard 100 V, 4,6 mOhm max., MOSFET di potenza STripFET F8 da 125 A in un contenitore PowerFLAT 5x6


Questo MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F8 con una struttura a trincea potenziata.;Garantisce una bassissima resistenza in stato attivo, riducendo al contempo le capacità interne e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Caratteristiche principali


  • Grado MSL1
    • ;
  • Temperatura d'esercizio 175 °C
    • ;
  • Valanga testata al 100%

    • Link consigliati