MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 125 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie
- Codice RS:
- 261-5530
- Codice costruttore:
- STL120N10F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
3828,00 €
(IVA esclusa)
4671,00 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,276 € | 3.828,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-5530
- Codice costruttore:
- STL120N10F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 125A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 125A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Modalità di potenziamento canale N livello standard 100 V, 4,6 mOhm max., MOSFET di potenza STripFET F8 da 125 A in un contenitore PowerFLAT 5x6
Questo MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F8 con una struttura a trincea potenziata.;Garantisce una bassissima resistenza in stato attivo, riducendo al contempo le capacità interne e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.