MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 150 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R8-30MLHX

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Codice RS:
219-266
Codice costruttore:
PSMN1R8-30MLHX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N N Nexperia con tecnologia NextPowerS3 offre un basso RDS, una bassa dispersione IDSS e un'elevata efficienza, con una corrente nominale di 150 A. La sua bassa resistenza di gate ottimizzata supporta applicazioni a commutazione rapida. Le applicazioni principali includono regolatori buck sincroni, raddrizzatori sincroni nelle conversioni c.a.-c.c. e c.c.-c.c., controllo motore BLDC, protezione eFuse e batteria, nonché funzionalità OR-ing e hot-swap.

Commutazione rapida

Bassa spigolatura e bussatura per progetti a bassa emissione di EMI

Clip in rame ad alta affidabilità incollata

Qualificato fino a 175 °C

Cavi esposti per un'ispezione visiva ottimale della saldatura

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