MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 4.2 mΩ Miglioramento, 170 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN4R2-80YSEX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-335
Codice costruttore:
PSMN4R2-80YSEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Dissipazione di potenza massima Pd

294W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il transistor MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un RDS(on) molto basso e prestazioni migliorate nell'area di funzionamento sicura in un contenitore LFPAK88 con clip in rame ad alta affidabilità. È ottimizzato per i controller a scambio a caldo, in grado di resistere a correnti di ingresso elevate e ridurre al minimo le perdite I2R per una maggiore efficienza. Le applicazioni includono la sostituzione a caldo, la commutazione del carico, l'avviamento soft e il fusibile elettronico.

SOA per un funzionamento in modalità lineare superiore

Contenitore LLFPAK88 per applicazioni che richiedono le più alte prestazioni

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