Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 250 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R2-30YLDX

Codice RS:: 219-343
Codice costruttore:: PSMN1R2-30YLDX
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 250 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R2-30YLDX

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

1,52 €

(IVA esclusa)

1,85 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 1500 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Nastro/i	Per Nastro
1 - 9	1,52 €
10 - 99	1,37 €
100 - 499	1,26 €
500 - 999	1,16 €
1000 +	1,04 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 219-343
Codice costruttore:: PSMN1R2-30YLDX
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	250A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	LFPAK
	Serie	NextPowerS3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.2mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	194W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	32nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 250A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package LFPAK
	Serie NextPowerS3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 194W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - PSMN1R2-30YLDX

Paese di origine:: PH

Il MOSFET a canale N Nexperia è dotato di un portafoglio NextPowerS3 che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP per fornire un'elevata efficienza, prestazioni a bassa spinta solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta efficienza a frequenze di commutazione elevate.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Possibilità di saldatura a onda

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 250 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R2-30YLDX

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati