MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 36.6 mΩ Miglioramento, 30 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN040-100MSEX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-405
Codice costruttore:
PSMN040-100MSEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEEE802.3at, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N di Nexperia è progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei sistemi Power-over-Ethernet, che ora supportano fino a 90 W per ogni dispositivo alimentato. Risponde ai requisiti critici per le apparecchiature di alimentazione, tra cui la funzionalità soft-start, la gestione termica e l'elevata densità di potenza, garantendo prestazioni affidabili ed efficienti nelle soluzioni PoE avanzate.

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Basso Rdson per basse perdite di conduzione

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