MOSFET Nexperia, canale N 100 V, 36.6 mΩ Miglioramento, 30 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN040-100MSEX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-405
Codice costruttore:
PSMN040-100MSEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEEE802.3at, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N di Nexperia è progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei sistemi Power-over-Ethernet, che ora supportano fino a 90 W per ogni dispositivo alimentato. Risponde ai requisiti critici per le apparecchiature di alimentazione, tra cui la funzionalità soft-start, la gestione termica e l'elevata densità di potenza, garantendo prestazioni affidabili ed efficienti nelle soluzioni PoE avanzate.

Area di funzionamento sicura con polarizzazione in avanti migliorata per un funzionamento in modalità lineare superiore

Basso Rdson per basse perdite di conduzione

Contenitore LFPAK33 estremamente affidabile per prestazioni termiche e di robustezza superiori

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