MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 28 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, MLPAK, Superficie PXN028-100QLJ

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Codice RS:
219-415
Codice costruttore:
PXN028-100QLJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

MLPAK

Serie

PXN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Nexperia viene fornito in un contenitore MLPAK33. È progettato per una varietà di applicazioni standard. Gli impieghi principali includono la rettifica sincrona laterale secondaria, i convertitori c.c.-c.c., gli elettrodomestici, gli azionamenti dei motori, la commutazione del carico e l'illuminazione a LED.

Compatibilità a livello logico

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore termicamente efficiente in un piccolo fattore di forma

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