MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 240 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R5-40YSDX

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Codice RS:
219-430
Codice costruttore:
PSMN1R5-40YSDX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

240A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Dissipazione di potenza massima Pd

238W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia utilizza la tecnologia di giunzione Super TrenchMOS avanzata, ottimizzata per la commutazione di potenza ad alte prestazioni. È ideale per applicazioni come la rettifica sincrona, i convertitori c.c.-c.c., gli alimentatori per server, il controllo dei motori c.c. brushless, la protezione delle batterie e la gestione degli inrush.

Valanga, testato al 100%

Valore nominale SOA elevato

I cavi esposti possono essere saldati a onda

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

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