MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 85 mΩ Miglioramento, 37 A, 8 Pin, HPSOF-8L, Superficie NTBL075N065SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-564
Codice costruttore:
NTBL075N065SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTBL

Tipo di package

HPSOF-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

85mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22.6 V

Tensione diretta Vf

4.4V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2.3mm

Larghezza

10.38 mm

Paese di origine:
PH
Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) di ON Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

Conformità RoHS

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