MOSFET onsemi, canale N 650 V Miglioramento, 55 A, 8 Pin, HPSOF-8L, Montaggio superficiale NTBL032N065M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
333-416
Codice costruttore:
NTBL032N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EliteSiC

Tipo di package

HPSOF-8L

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tensione diretta Vf

6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Altezza

2.3mm

Larghezza

10.38mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET SiC di ON Semiconductor è progettato per un'efficiente commutazione di potenza, con basse perdite di conduzione e migliori prestazioni termiche. La sua struttura compatta garantisce un funzionamento affidabile in applicazioni ad alta potenza, riducendo al minimo gli ingombri. Questo dispositivo è ottimizzato per l'efficienza energetica, riducendo la dissipazione di potenza complessiva del sistema.

Pacchetto H PSOF8L

Conforme alla direttiva RoHS

Senza Pb

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