MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 32.6 mΩ N, 77 A, 8 Pin, HPSOF-8L NTBL023N065M3S
- Codice RS:
- 333-415
- Codice costruttore:
- NTBL023N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
13,30 €
(IVA esclusa)
16,23 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1993 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,30 € |
| 10 - 99 | 11,96 € |
| 100 + | 11,04 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 333-415
- Codice costruttore:
- NTBL023N065M3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 77A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 32.6mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 312W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 69nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Larghezza | 10.38 mm | |
| Standard/Approvazioni | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 77A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 32.6mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 312W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 69nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Larghezza 10.38 mm | ||
Standard/Approvazioni Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Il MOSFET SiC di ON Semiconductor è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e offre basse perdite di conduzione e robuste prestazioni termiche. Il suo design avanzato migliora l'affidabilità dei sistemi di alimentazione più esigenti, mantenendo al contempo un packaging compatto. Questo dispositivo garantisce un funzionamento efficiente con una dissipazione di energia minima.
Pacchetto H PSOF8L
Conforme alla direttiva RoHS
Senza Pb
Link consigliati
- MOSFET onsemi 37 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 46 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 55 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 241 H-PSOF8L, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0.75 Ω H-PSOF8L, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 40 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 0 49 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 4 187 A, H-PSOF8L
