MOSFET ROHM, canale N 60 V, 0.68 Ω Miglioramento, 650 mA, 3 Pin, SST-3, Superficie BSS670AHZGT116

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-577
Codice costruttore:
BSS670AHZGT116
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

650mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

BSS

Tipo di package

SST-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.68Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

350mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET ROHM a piccolo segnale per autoveicoli a canale N con MOSFET da 60V 650mA e diodo di protezione ESD è incluso nel pacchetto SST3. Questo prodotto è ideale per i circuiti di commutazione e per le applicazioni di commutazione del carico a basso lato e di pilotaggio dei relè. Si tratta di un prodotto ad alta affidabilità per uso automobilistico conforme a AEC-Q101.

Commutazione molto rapida

Azionamento a bassissima tensione Azionamento a 2,5 V

Protezione ESD fino a 2kV HBM

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

Senza alogeni

Certificato AEC-Q101

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