2 MOSFET ROHM, canale N, 193 mΩ, 7 A 100 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HT8KE5TB1
- Codice RS:
- 264-874
- Codice costruttore:
- HT8KE5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 10 unità*
5,38 €
(IVA esclusa)
6,56 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,538 € | 5,38 € |
| 100 - 240 | 0,511 € | 5,11 € |
| 250 - 490 | 0,472 € | 4,72 € |
| 500 - 990 | 0,435 € | 4,35 € |
| 1000 + | 0,419 € | 4,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-874
- Codice costruttore:
- HT8KE5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Serie | HT8K | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 193mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Serie HT8K | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 193mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 7A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.
Bassa resistenza in stato attivo
Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)
Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS
Senza alogeni