2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 193 mΩ, 7 A 100 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HT8KE5TB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-874
Codice costruttore:
HT8KE5TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSMT-8

Serie

HT8K

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

13W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 7A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

Senza alogeni

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