MOSFET Infineon, canale N, 176 A, PG-TO263-3, Su foro

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Codice RS:
284-676
Codice costruttore:
IPB018N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

176 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TO263-3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza optimos 5 progettato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza, garantendo prestazioni superiori in ambienti difficili. Questo avanzato MOSFET a canale N eccelle per la sua bassa resistenza di accensione, che aumenta significativamente l'efficienza e riduce al minimo la generazione di calore. Con una notevole gamma di temperature operative, è costruito per resistere ai rigori dei moderni sistemi elettronici. Il suo pacchetto compatto D²PAK semplifica l'integrazione in vari assemblaggi elettronici, rendendolo una scelta versatile per gli ingegneri che desiderano ottimizzare i loro progetti. Questo dispositivo è stato completamente qualificato secondo gli standard JEDEC, confermando la sua affidabilità per le applicazioni industriali.

Ideale per la commutazione ad alta frequenza
La bassa resistenza di accensione migliora la gestione dell'energia
La placcatura al piombo priva di Pb soddisfa le normative
Il design privo di alogeni è conforme agli standard
Ottimizzato per ottenere metriche di prestazione superiori
Qualificato per applicazioni industriali
Le caratteristiche termiche avanzate migliorano la dissipazione del calore

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