MOSFET Infineon, canale N, 180 A, PG-TO263-3, Montaggio superficiale

OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™.

I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata
Qualifica AEC
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

L'OptiMOS di Infineon vanta perdite di potenza di commutazione e di conduzione minime, per garantire la massima efficienza termica. È inoltre dotato di carica gate totale ottimizzata che consente stadi di uscita driver più piccoli.

Certificazione AEC
Prodotto ecologico
RDS on ultra basso
Testato al 100% a valanga

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.