MOSFET Infineon, canale Tipo N, 180 A 40 V, PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1
- Codice RS:
- 258-7759
- Codice costruttore:
- IPB180N04S400ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-7759
- Codice costruttore:
- IPB180N04S400ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC, MSL1, RoHS | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC, MSL1, RoHS | ||
L'OptiMOS di Infineon vanta perdite di potenza di commutazione e di conduzione minime, per garantire la massima efficienza termica. È inoltre dotato di carica gate totale ottimizzata che consente stadi di uscita driver più piccoli.
Certificazione AEC
Prodotto ecologico
RDS on ultra basso
Testato al 100% a valanga
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