MOSFET Infineon, canale P, 10,3 A, PG-TSDSON-8 FL, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-793
Codice costruttore:
ISZ24DP10LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

10,3 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8 FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza OptiMOS progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono affidabilità ed efficienza. Con la sua configurazione a canale P e l'impressionante tensione di breakdown di 100 V, questo dispositivo promette di funzionare in modo ottimale in un'ampia gamma di condizioni. L'esclusivo design della modalità di potenziamento assicura una resistenza minima, mentre il dispositivo è pienamente conforme agli standard RoHS e privo di alogeni, il che lo rende una scelta responsabile dal punto di vista ambientale. Il transistor di potenza offre notevoli prestazioni termiche, ispirate a tecnologie di accoppiamento avanzate, garantendo un'elevata efficienza per le applicazioni industriali. È completamente qualificato secondo le linee guida JEDEC, il che garantisce una stabilità operativa a lungo termine.

Prestazioni eccezionali nella commutazione ad alta velocità
Azionamento del gate a livello logico per un facile interfacciamento
Maggiore resistenza termica per garantire l'affidabilità
Soddisfa i severi requisiti delle applicazioni industriali
Dimensioni compatte per un uso efficiente dello spazio sul PCB
Completamente qualificato secondo gli standard del settore

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