MOSFET Infineon, canale P, 6,7 A, PG-TSDSON-8 FL, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-799
Codice costruttore:
ISZ56DP15LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

6,7 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

PG-TSDSON-8 FL

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza OptiMOS che presenta una soluzione innovativa per la gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Questo versatile MOSFET a canale P è stato progettato specificamente per adattarsi ad applicazioni ad alta e bassa frequenza di commutazione. Grazie a una robusta struttura di resistenza termica, il dispositivo garantisce prestazioni affidabili anche in condizioni operative difficili. Grazie alla placcatura in piombo senza Pb e alla conformità agli standard RoHS, questo transistor incarna pratiche ecologiche pur mantenendo caratteristiche elettriche eccezionali. Completamente convalidato per applicazioni industriali e testato al 100% contro le valanghe, l'OptiMOS non solo aumenta l'affidabilità del sistema, ma migliora anche l'efficienza energetica complessiva, rendendolo la scelta ideale per i moderni progetti elettronici.

Ottimizzato per prestazioni termiche superiori
Senza alogeni per applicazioni ecologiche
Robustezza in varie condizioni industriali
Azionamento a livello logico per un controllo semplificato
Convalidato secondo gli standard JEDEC
Facile integrazione nei circuiti di potenza

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