MOSFET Infineon, canale P, 5,1 A, PG-TSDSON-8 FL, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-803
Codice costruttore:
ISZ75DP15LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

5,1 A

Tensione massima drain source

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8 FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza all'avanguardia progettato per applicazioni ad alte prestazioni. Progettato con l'avanzata tecnologia OptiMOS, questo dispositivo offre un'efficienza eccezionale pur funzionando a una tensione massima di 150 V. La sua bassa resistenza di accensione garantisce perdite di energia ridotte al minimo, rendendolo ideale per le applicazioni che richiedono una gestione affidabile dell'alimentazione. Il prodotto è completamente qualificato secondo gli standard JEDEC, garantendo la sua idoneità per gli ambienti industriali più esigenti. Grazie alle robuste caratteristiche termiche e alla capacità di sopportare un'elevata corrente di drenaggio continua, è un esempio di affidabilità e durata in diverse condizioni.

P Design del canale per una gestione versatile dell'alimentazione
Maggiore resistenza termica per garantire l'affidabilità
100% testato in valanga per la sicurezza
La compatibilità a livello logico semplifica la progettazione
Placcatura al piombo senza Pb per pratiche eco-compatibili
La costruzione senza alogeni è conforme alle normative
Ampio intervallo di temperature operative per la massima flessibilità
Pacchetto compatto PG TSDSON 8 per una facile integrazione

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