MOSFET Infineon, canale P, 2,7 A, PG-TSDSON-8 FL, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-792
Codice costruttore:
ISZ15EP15LMATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

2,7 A

Tensione massima drain source

150 V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8 FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Modalità del canale

Enhancement

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni, progettato per applicazioni impegnative che richiedono un'efficienza e un'affidabilità eccezionali. Questo transistor di potenza funziona con una tensione massima di drain source di 150 V, il che lo rende una scelta eccellente per varie applicazioni di commutazione di potenza. Costruito con l'avanzata tecnologia OptiMOS, presenta una resistenza di accensione molto bassa, che garantisce una perdita di potenza minima durante il funzionamento. Inoltre, questo componente è pienamente conforme alle norme RoHS e all'assenza di alogeni, evidenziando il suo design ecologico. Grazie ai rigorosi test a valanga e all'aderenza agli standard JEDEC per le applicazioni industriali, questo dispositivo si distingue come un'opzione robusta e versatile per gli ingegneri che desiderano migliorare i loro progetti di circuiti con una tecnologia affidabile.

Supporta facilmente le applicazioni ad alta tensione
Prestazioni termiche ed efficienza eccezionali
Soglia di livello logico per una guida più semplice
Pacchetto compatto per progetti sensibili allo spazio
100% testato in valanga per l'affidabilità

Link consigliati