MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1

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Codice RS:
284-899
Codice costruttore:
IPT65R040CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

97nC

Dissipazione di potenza massima Pd

347W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Il MOSFET Infineon è un MOSFET all'avanguardia progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questo prodotto esemplifica prestazioni termiche superiori, il che lo rende ideale per l'uso in ambienti impegnativi come i settori dei server e delle telecomunicazioni. Grazie all'innovativa tecnologia CoolMOS CFD7, promette un'affidabilità e un'efficienza eccezionali, in particolare nelle topologie di commutazione risonanti, comprese le applicazioni a ponte intero LLC e a sfasamento. Questo MOSFET migliora il suo predecessore con capacità di commutazione migliorate e una bassa resistenza di stato, ottimizzando la densità di potenza e migliorando l'efficacia complessiva dei vostri progetti. Costruito per soddisfare i rigorosi standard delle applicazioni industriali, il dispositivo offre un'eccellente robustezza di commutazione dura, mantenendo prestazioni eccezionali in un'ampia gamma di temperature.

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Ottimizzato per un'elevata densità di potenza nei progetti compatti

Eccelle in condizioni di carico leggero per le applicazioni industriali SMPS

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