MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1

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Codice RS:
284-899
Codice costruttore:
IPT65R040CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo di package

PG-HSOF-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

347W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

97nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

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