MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1

Codice RS:: 284-899
Codice costruttore:: IPT65R040CFD7XTMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 284-899
Codice costruttore:: IPT65R040CFD7XTMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	63A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	Tipo di package	PG-HSOF-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	40mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	347W
	Tensione diretta Vf	1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	97nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	JEDEC

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 63A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
	Tipo di package PG-HSOF-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 347W
	Tensione diretta Vf 1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 97nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni JEDEC

Datasheet - IPT65R040CFD7XTMA1

Il MOSFET Infineon è un MOSFET all'avanguardia progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questo prodotto esemplifica prestazioni termiche superiori, il che lo rende ideale per l'uso in ambienti impegnativi come i settori dei server e delle telecomunicazioni. Grazie all'innovativa tecnologia CoolMOS CFD7, promette un'affidabilità e un'efficienza eccezionali, in particolare nelle topologie di commutazione risonanti, comprese le applicazioni a ponte intero LLC e a sfasamento. Questo MOSFET migliora il suo predecessore con capacità di commutazione migliorate e una bassa resistenza di stato, ottimizzando la densità di potenza e migliorando l'efficacia complessiva dei vostri progetti. Costruito per soddisfare i rigorosi standard delle applicazioni industriali, il dispositivo offre un'eccellente robustezza di commutazione dura, mantenendo prestazioni eccezionali in un'ampia gamma di temperature.

Il diodo di corpo ultraveloce riduce al minimo le perdite di commutazione

Il miglior RDS(on) della categoria per migliorare l'efficienza

Robusto contro le commutazioni difficili per l'affidabilità

Gestisce l'aumento della tensione del bus per la sicurezza

Ottimizzato per un'elevata densità di potenza nei progetti compatti

Eccelle in condizioni di carico leggero per le applicazioni industriali SMPS

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1

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