MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 40 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IPT65R040CFD7XTMA1
- Codice RS:
- 284-900
- Codice costruttore:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 284-900
- Codice costruttore:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 63A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Tipo di package | PG-HSOF-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 347W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 97nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 63A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Tipo di package PG-HSOF-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 347W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 97nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Il MOSFET Infineon è un MOSFET all'avanguardia progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questo prodotto esemplifica prestazioni termiche superiori, il che lo rende ideale per l'uso in ambienti impegnativi come i settori dei server e delle telecomunicazioni. Grazie all'innovativa tecnologia CoolMOS CFD7, promette un'affidabilità e un'efficienza eccezionali, in particolare nelle topologie di commutazione risonanti, comprese le applicazioni a ponte intero LLC e a sfasamento. Questo MOSFET migliora il suo predecessore con capacità di commutazione migliorate e una bassa resistenza di stato, ottimizzando la densità di potenza e migliorando l'efficacia complessiva dei vostri progetti. Costruito per soddisfare i rigorosi standard delle applicazioni industriali, il dispositivo offre un'eccellente robustezza di commutazione dura, mantenendo prestazioni eccezionali in un'ampia gamma di temperature.
Il diodo di corpo ultraveloce riduce al minimo le perdite di commutazione
Il miglior RDS(on) della categoria per migliorare l'efficienza
Robusto contro le commutazioni difficili per l'affidabilità
Gestisce l'aumento della tensione del bus per la sicurezza
Ottimizzato per un'elevata densità di potenza nei progetti compatti
Eccelle in condizioni di carico leggero per le applicazioni industriali SMPS
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